注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥15.532581
10
¥14.653383
100
¥13.823945
500
¥13.041457
1000
¥12.303257
ON Semiconductor FQU2N90TU-AM002
- 收藏
- 对比
FQU2N90TU-AM002
1807-FQU2N90TU-AM002
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
大陆
立即发货

MOSFET 900V 1.6A 7.8Ohm N-Channel
--最小包装量--
¥
总价: ¥
FQU2N90TU-AM002详情
ON Semiconductor FQU2N90TU-AM002重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
引脚数
3
质量
343.08mg
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.7A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta 50W Tc
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
QFET®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
端子表面处理
Tin (Sn)
元素配置
Single
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
7.2 Ω @ 850mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
500pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
15nC @ 10V
上升时间
35ns
漏源电压 (Vdss)
900V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
30 ns
连续放电电流(ID)
1.7A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FQU2N90TU-AM002拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor








哦! 它是空的。