FQU2N90TU-AM002
FQU2N90TU-AM002

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ON Semiconductor FQU2N90TU-AM002

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型号

FQU2N90TU-AM002

utmel 编号

1807-FQU2N90TU-AM002

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 900V 1.6A 7.8Ohm N-Channel

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FQU2N90TU-AM002
FQU2N90TU-AM002 ON Semiconductor MOSFET 900V 1.6A 7.8Ohm N-Channel

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FQU2N90TU-AM002详情

ON Semiconductor FQU2N90TU-AM002重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

  • 引脚数

    3

  • 质量

    343.08mg

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    1.7A Tc

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    2.5W Ta 50W Tc

  • Turn Off Delay Time

    20 ns

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 系列

    QFET®

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 元素配置

    Single

  • 接通延迟时间

    15 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    7.2 Ω @ 850mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    500pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    15nC @ 10V

  • 上升时间

    35ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    900V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 下降时间(典型值)

    30 ns

  • 连续放电电流(ID)

    1.7A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    30V

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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