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首页 全部分类 FS100R12KS4BOSA1 vs APTGT75TDU120PG

FS100R12KS4BOSA1备选型号: APTGT75TDU120PG

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  • 终止次数
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  • 引脚数量
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  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 输入
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  • 最大集电极电流
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 晶体管应用
  • 输入电容
  • IGBT类型
  • Infineon Technologies
    FS100R12KS4BOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE VCES 600V 100A
    12 Weeks
    Screw
    底座安装
    Module
    19
    SILICON
    1.2kV
    3.2V
    -40°C~125°C
    no
    活跃
    不适用
    39
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    39
    R-XUFM-X39
    三相逆变器
    660W
    ISOLATED
    660W
    不含卤素
    N-CHANNEL
    Standard
    1.2kV
    130A
    5mA
    1200V
    190 ns
    3.7V @ 15V, 100A
    390 ns
    无
    6.8nF @ 25V
    符合RoHS标准
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APTGT75TDU120PG
    Microsemi Corporation
    IGBT MODULE 1200V 100A 350W SP6P
    36 Weeks
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SP6
    6
    SILICON
    1.2kV
    -
    -
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    21
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    21
    R-XUFM-X21
    Triple, Dual - Common Source
    -
    ISOLATED
    350W
    -
    N-CHANNEL
    Standard
    2.1V
    100A
    250μA
    1200V
    335 ns
    2.1V @ 15V, 75A
    610 ns
    无
    5.34nF @ 25V
    符合RoHS标准
    -
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    2006
    e1
    锡银铜
    雪崩 额定
    350W
    电源控制
    5.34nF
    沟渠现场停车
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APTGT75TDU120PG APTGT75TDU120PG Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 SP6 IGBT MODULE 1200V 100A 350W SP6P 对比