Infineon Technologies FS100R12KS4BOSA1

工厂交货时间

12 Weeks

底架

Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

引脚数

19

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.2V

Number of Elements

6

操作温度

-40°C~125°C

无铅代码

no

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

不适用

终止次数

39

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

39

JESD-30代码

R-XUFM-X39

配置

三相逆变器

功率耗散

660W

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

660W

无卤素

不含卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

130A

最大集极截止电流

5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

190 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.7V @ 15V, 100A

关断时间-标准值（toff)

390 ns

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

6.8nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅