FS100R12KS4BOSA1备选型号: FS75R12KS4BOSA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 输入
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最大集极截止电流
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- NTC热敏电阻
- 输入电容(Cies)@Vce
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- IGBT MODULE VCES 600V 100A12 WeeksScrew底座安装Module19SILICON1.2kV3.2V-40°C~125°Cno活跃不适用39EAR99UPPERUNSPECIFIED39R-XUFM-X39三相逆变器660WISOLATED660W不含卤素N-CHANNELStandard1.2kV130A5mA1200V190 ns3.7V @ 15V, 100A390 ns无6.8nF @ 25V符合RoHS标准含铅-
- MOD IGBT LOW PWR ECONO3-1-Screw底座安装Module19SILICON1.2kV3.2V-40°C~125°Cno不用于新设计1 (Unlimited)39EAR99UPPERUNSPECIFIED39R-XUFM-X39三相逆变器500WISOLATED500W不含卤素N-CHANNELStandard1.2kV100A5mA1200V190 ns3.7V @ 15V, 75A390 ns无5.1nF @ 25VROHS3 Compliant含铅2002
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | APTGT75TDU120PG | Microsemi Corporation | 晶体管 - IGBT - 模块 | SP6 | IGBT MODULE 1200V 100A 350W SP6P | 对比 |




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