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首页 全部分类 FSBB30CH60C vs NGTG12N60TF1G

FSBB30CH60C备选型号: NGTG12N60TF1G

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  • 最大集电极电流
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  • 最小击穿电压
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  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 包装
  • 元素配置
  • 连续集电极电流
  • ON Semiconductor
    FSBB30CH60C
    ON Semiconductor
    MODULE MOTION-SPM 600V SPM27-CC
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    50 Weeks
    通孔
    通孔
    27-PowerDIP Module (1.205, 30.60mm)
    27
    21.978g
    20kHz
    Motion SPM® 3
    2011
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    27
    EAR99
    IGBT
    Tin (Sn)
    125°C
    -40°C
    8541.29.00.95
    106W
    DUAL
    4
    15V
    FSBB30CH60
    3
    2500Vrms
    600V
    16.5V
    NPN
    AUTOMOTIVE
    3 Phase
    16.5V
    13.5V
    30A
    30A
    2V
    30A
    150°C
    600V
    7.5mm
    44mm
    26.8mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NGTG12N60TF1G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTG12N60TF1GIGBT Single Transistor, 24 A, 1.4 V, 54 W, 600 V, TO-3PF, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    通孔
    -
    Module
    3
    -
    600V
    -
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    150°C
    -55°C
    -
    54W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    600V
    24A
    -
    -
    26.5mm
    15.5mm
    5.5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    1.6V
    Tube
    Single
    20A
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