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FSBCW30备选型号: 2PB710AS,115
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- 包装
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- 电压 - 额定直流
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- 元素配置
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- RoHS状态
- 无铅
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 转换频率
- 频率转换
- 最大耗散功率(Abs)
- VCEsat-最大值
- 集电极-基极电容-最大值
TRANS PNP 32V 0.5A SSOT-3表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3332V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)-32V500mW500mABCW30SinglePNP300mV500mA215 @ 2mA 5V100nA ICBO300mV @ 500μA, 10mA32V5V符合RoHS标准无铅--------------------------- TRANS PNP 50V 0.5A SC59-表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-500mA150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)---2PB710A-PNP--170 @ 150mA 10V10nA ICBO600mV @ 30mA, 300mA--ROHS3 Compliant-YESSILICON2009e33EAR99Matte Tin (Sn)8541.21.00.75DUAL鸥翼260unknown403R-PDSO-G3不合格SINGLE250mWSWITCHINGPNP50V140MHz140MHz0.25W0.6 V15pF
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SA1313-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 3-Pin S-Mini Embossed T/R | 对比 |
 | DTB123YCT116 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST | 对比 |
| 2PB710AS,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 50V 0.5A SC59 | 对比 |
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