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FSBCW30备选型号: 2SA1313-Y,LF
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- 包装
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- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 元素配置
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 供应商器件包装
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- 极性
- 功率 - 最大
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- 电压 - 集射极击穿（最大值）
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 连续集电极电流
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- 长度
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TRANS PNP 32V 0.5A SSOT-3表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3332V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)-32V500mW500mABCW30SinglePNP300mV500mA215 @ 2mA 5V100nA ICBO300mV @ 500μA, 10mA32V5V符合RoHS标准无铅----------------
Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 3-Pin S-Mini Embossed T/R表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-50V150°C TJTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)-200mW---PNP250mV500mA120 @ 100mA 1V100nA ICBO250mV @ 10mA, 100mA-50V-5V符合RoHS标准-12 WeeksS-Mini-100mV2014150°C-55°CPNP200mW200MHz50V50V200MHz-500mA1.1mm2.9mm1.5mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1313-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT PNP 50V 0.5A 3-Pin S-Mini Embossed T/R | 对比 |
| 2PB710AS,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 50V 0.5A SC59 | 对比 |
 | DTB123YCT116 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST | 对比 |
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