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首页 全部分类 GA10JT12-263 vs STB34NM60N

GA10JT12-263备选型号: STB34NM60N

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  • 场效应管类型
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  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • GeneSiC Semiconductor
    GA10JT12-263
    GeneSiC Semiconductor
    GENESIC SEMICONDUCTOR GA10JT12-263SIC JUNCTION TRANSISTOR, 1.2KV, 10A, TO-263
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263
    3
    25A Tc
    175°C TJ
    Tube
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    120m Ω @ 10A
    1403pF @ 800V
    1200V
    N-CHANNEL
    25A
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • STMicroelectronics
    STB34NM60N
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STB34NM60N Power MOSFET, N Channel, 29 A, 600 V, 0.092 ohm, 10 V, 3 V
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    29A Tc
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    105m Ω @ 14.5A, 10V
    2722pF @ 100V
    600V
    -
    29A
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    SILICON
    MDmesh™ II
    2
    鸥翼
    STB34N
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4V @ 250μA
    84nC @ 10V
    34ns
    ±25V
    70 ns
    3V
    25V
    0.105Ohm
    126A
    600V
    3 V
    4.6mm
    10.75mm
    10.4mm
    无
    无铅
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