GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263
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GA10JT12-263
962-GA10JT12-263
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263
大陆
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GENESIC SEMICONDUCTOR GA10JT12-263SIC JUNCTION TRANSISTOR, 1.2KV, 10A, TO-263
1最小包装量--
GA10JT12-263详情
GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
25A Tc
Power Dissipation (Max)
170W Tc
操作温度
175°C TJ
包装
Tube
已出版
2014
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
Rds On(Max)@Id,Vgs
120m Ω @ 10A
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1403pF @ 800V
漏源电压 (Vdss)
1200V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
25A
达到SVHC
无SVHC
RoHS状态
符合RoHS标准
GA10JT12-263拓展信息
GeneSiC Semiconductor
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