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首页 全部分类 GA35XCP12-247 vs NGTB15N120IHWG

GA35XCP12-247备选型号: NGTB15N120IHWG

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  • 元素配置
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 最大集电极电流
  • 关断时间-标准值（toff)
  • Td（开/关）@25°C
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • GeneSiC Semiconductor
    GA35XCP12-247
    GeneSiC Semiconductor
    IGBT Transistors 1200V 35A SIC IGBT CoPak
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    1.2kV
    3V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Standard
    N-CHANNEL
    3V
    36 ns
    1200V
    3V @ 15V, 35A
    PT
    50nC
    35A
    2.66mJ (on), 4.35mJ (off)
    20V
    6.5V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NGTB15N120IHWG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTB15N120IHWG IGBT Single Transistor, 30 A, 2.1 V, 278 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
    29 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    1.2kV
    2.1V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Standard
    N-CHANNEL
    2.45V
    -
    1200V
    2.45V @ 15V, 15A
    沟渠现场停车
    120nC
    60A
    360μJ (off)
    -
    -
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
    SILICON
    2004
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    278W
    未说明
    未说明
    Single
    278W
    电源控制
    30A
    385 ns
    -/130ns
    21.4mm
    16.25mm
    5.3mm
    无SVHC
    无铅
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