GeneSiC Semiconductor GA35XCP12-247

工厂交货时间

18 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

3V

Test Conditions

800V, 35A, 22 Ω, 15V

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

输入类型

Standard

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

3V

反向恢复时间

36 ns

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3V @ 15V, 35A

IGBT类型

PT

闸门收费

50nC

集极脉冲电流（Icm）

35A

开关能量

2.66mJ (on), 4.35mJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

RoHS状态

符合RoHS标准