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GMM3X160-0055X2-SMD备选型号: RE1J002YNTCL
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- 晶体管元件材料
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- 包装
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- ECCN 代码
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- 端子位置
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- 质量
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 接通延迟时间
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 无铅
MOSFET GMM ISOPLUS-DIL Triple Phase Leg表面贴装表面贴装24-SMD, Gull WingSILICON6-55°C~175°C TJTube2011活跃1 (Unlimited)24EAR99Tin (984) Over Nickel (39)DUAL24R-PDSO-G24不合格3 BANKS, SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETISOLATED6 N-Channel (3-Phase Bridge)SWITCHING4V @ 1mA110nC @ 10V55V150A0.0031Ohm55VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandardROHS3 Compliant-------------------
MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM表面贴装表面贴装SC-89, SOT-490SILICON200mA Ta150°C TJTape & Reel (TR)2012活跃1 (Unlimited)3EAR99-DUAL----增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING---200mA2.8Ohm---ROHS3 Compliant16 Weeks329.993795mg800mV @ 1mAFLAT未说明未说明1Single5 ns2.2 Ω @ 200mA, 4.5V26pF @ 10V8ns±8V43 ns8V0.2A50V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| RE1J002YNTCL | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SC-89, SOT-490 | MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM | 对比 |
 | RTF016N05TL | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-SMD, Flat Lead | MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3 | 对比 |
 | VEC2616-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 | 对比 |
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