RE1J002YNTCL
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ROHM Semiconductor RE1J002YNTCL

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型号

RE1J002YNTCL

utmel 编号

2078-RE1J002YNTCL

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SC-89, SOT-490

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM

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RE1J002YNTCL
RE1J002YNTCL ROHM Semiconductor MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM

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RE1J002YNTCL详情

ROHM Semiconductor RE1J002YNTCL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-89, SOT-490

  • 引脚数

    3

  • 质量

    29.993795mg

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    200mA Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    0.9V 4.5V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    150mW Ta

  • Turn Off Delay Time

    17 ns

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    800mV @ 1mA

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2012

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 接通延迟时间

    5 ns

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    2.2 Ω @ 200mA, 4.5V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    26pF @ 10V

  • 上升时间

    8ns

  • Vgs(最大值)

    ±8V

  • 下降时间(典型值)

    43 ns

  • 连续放电电流(ID)

    200mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    8V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.2A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    2.8Ohm

  • 漏源击穿电压

    50V

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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右边的3个型号有着和ROHM Semiconductor & RE1J002YNTCL相似的参数规格。

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RE1J002YNTCL拓展信息

RU1J002YNTCL
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RTR030N05TL
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RZM002P02T2L
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RYC002N05T316
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