ROHM Semiconductor RE1J002YNTCL
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RE1J002YNTCL
2078-RE1J002YNTCL
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-89, SOT-490
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MOSFET N-CH 1.2V DRIVE EMT3FM
--最小包装量--
RE1J002YNTCL详情
ROHM Semiconductor RE1J002YNTCL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-89, SOT-490
引脚数
3
质量
29.993795mg
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
200mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
0.9V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
150mW Ta
Turn Off Delay Time
17 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
800mV @ 1mA
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
5 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.2 Ω @ 200mA, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
26pF @ 10V
上升时间
8ns
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
43 ns
连续放电电流(ID)
200mA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.2A
漏极-源极导通最大电阻
2.8Ohm
漏源击穿电压
50V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
RE1J002YNTCL拓展信息
ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor
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