GN2470K4-G备选型号: FGD3N60UNDF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 输入类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • 连续集电极电流
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 基本部件号
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 反向恢复时间
  • 最大击穿电压
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值(toff)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 无铅
  • Microchip Technology
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR,700V,3.5A3 DPAKT/R
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    700V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    2.5W
    鸥翼
    260
    R-PSSO-G2
    Single
    2.5W
    Standard
    700V
    1A
    TO-252AA
    5V @ 13V, 3A
    1A
    3.5A
    8ns/20ns
    2.39mm
    6.73mm
    6.1mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    600V
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    60W
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    Single
    60W
    Standard
    600V
    6A
    -
    2.52V @ 15V, 3A
    -
    9A
    5.5ns/22ns
    2.3mm
    6.6mm
    6.1mm
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    260.37mg
    SILICON
    2.4V
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    FGD3N60
    COLLECTOR
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    21ns
    600V
    7.4 ns
    146 ns
    NPT
    1.6nC
    52μJ (on), 30μJ (off)
    20V
    8.5V
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FGD3N60UNDF FGD3N60UNDF ON Semiconductor 晶体管 - IGBT - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 IGBT Transistors 600V, 3A Short Circuit Rated IGBT 对比
IGD06N60TATMA1 IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies 晶体管 - IGBT - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 IGBT 600V 12A 88W TO252-3 对比
STGD5H60DF STGD5H60DF STMicroelectronics 晶体管 - IGBT - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 对比