ON Semiconductor FGD3N60UNDF

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

7 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

引脚数

3

质量

260.37mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.4V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 3A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

60W

终端形式

鸥翼

基本部件号

FGD3N60

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

60W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

6A

反向恢复时间

21ns

最大击穿电压

600V

接通时间

7.4 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.52V @ 15V, 3A

关断时间-标准值（toff)

146 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

1.6nC

集极脉冲电流（Icm）

9A

Td（开/关）@25°C

5.5ns/22ns

开关能量

52μJ (on), 30μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

8.5V

高度

2.3mm

长度

6.6mm

宽度

6.1mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅