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首页 全部分类 GN2470K4-G vs IKD06N60RFATMA1

GN2470K4-G备选型号: IKD06N60RFATMA1

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  • 元素配置
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 功率 - 最大
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 反向恢复时间
  • 最大击穿电压
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 无铅
  • Microchip Technology
    GN2470K4-G
    Microchip Technology
    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR,700V,3.5A3 DPAKT/R
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    700V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    活跃
    3 (168 Hours)
    2
    EAR99
    2.5W
    鸥翼
    260
    R-PSSO-G2
    Single
    2.5W
    Standard
    700V
    1A
    TO-252AA
    5V @ 13V, 3A
    1A
    3.5A
    8ns/20ns
    2.39mm
    6.73mm
    6.1mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IKD06N60RFATMA1
    Infineon Technologies
    IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    400V, 6A, 23 Ω, 15V
    -40°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    100W
    -
    未说明
    -
    Single
    -
    Standard
    600V
    12A
    -
    2.5V @ 15V, 6A
    -
    18A
    7ns/106ns
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    TrenchStop®
    e3
    no
    Tin (Sn)
    not_compliant
    未说明
    *KD06N60
    100W
    无卤素
    N-CHANNEL
    48 ns
    600V
    沟渠现场停车
    48nC
    90μJ (on), 90μJ (off)
    20V
    5.7V
    含铅
  • 添加型号
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