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首页 全部分类 H11G3M vs H11G3300W

H11G3M备选型号: H11G3300W

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  • 通道数量
  • 功率耗散
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  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 反向击穿电压
  • 接通 / 关断时间（典型值）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电路数量
  • 上升时间
  • 正向电压
  • 最大直流驱动电流（If）
  • Vce 饱和度（最大值）
  • ON Semiconductor
    H11G3M
    ON Semiconductor
    OPTOISO 7.5KV DARL W/BASE 6DIP
    通孔
    通孔
    6-DIP (0.300, 7.62mm)
    6
    1.2V
    200% @ 1mA
    -40°C~100°C
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    260mW
    7500Vpk
    55V
    带底座的达林顿
    1
    260mW
    1.3V
    DC
    60mA
    55V
    55V
    6V
    5μs, 100μs
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    H11G3300W
    ON Semiconductor
    Optocoupler DC-IN 1-CH Darlington With Base DC-OUT 6-Pin PDIP Black Bulk
    通孔
    通孔
    6-DIP (0.400, 10.16mm)
    6
    1.2V
    200% @ 1mA
    -55°C~100°C
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    260mW
    5300Vrms
    55V
    带底座的达林顿
    1
    260mW
    1.3V
    DC
    60mA
    -
    55V
    6V
    5μs, 100μs
    符合RoHS标准
    无铅
    6-DIP
    100°C
    -55°C
    1
    5μs
    1.5V
    60mA
    1.2V
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