ON Semiconductor H11G3M

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

6

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.2V

Current Transfer Ratio-Min

200% @ 1mA

操作温度

-40°C~100°C

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

260mW

电压-隔离度

7500Vpk

输出电压

55V

输出类型

带底座的达林顿

通道数量

1

功率耗散

260mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.3V

输入类型

DC

正向电流

60mA

最大输出电压

55V

集电极发射器电压(VCEO)

55V

反向击穿电压

6V

接通 / 关断时间（典型值）

5μs, 100μs

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅