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首页 全部分类 HAT2092R-EL-E vs FDS6690A

HAT2092R-EL-E备选型号: FDS6690A

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
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  • JESD-609代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Renesas Electronics America
    HAT2092R-EL-E
    Renesas Electronics America
    MOSFET 2N-CH 30V 11A 8-SOP
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    2W
    鸥翼
    260
    20
    8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    15 ns
    3W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    16m Ω @ 5.5A, 10V
    2.5V @ 1mA
    1400pF @ 10V
    22nC @ 10V
    17ns
    30V
    9 ns
    11A
    20V
    0.025Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6690A
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDS6690A - Power MOSFET, N Channel, 30 V, 11 A, 0.0125 ohm, SOIC, Surface Mount
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    11A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    9 ns
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    12.5m Ω @ 11A, 10V
    3V @ 250μA
    1205pF @ 15V
    16nC @ 5V
    5ns
    -
    9 ns
    11A
    20V
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    Tin
    130mg
    PowerTrench®
    e4
    12.5MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    逻辑电平兼容
    30V
    DUAL
    11A
    Single
    2.5W
    ±20V
    1.9V
    30V
    30V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无SVHC
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