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首页 全部分类 HAT2092R-EL-E vs IRF9328PBF

HAT2092R-EL-E备选型号: IRF9328PBF

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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • Renesas Electronics America
    HAT2092R-EL-E
    Renesas Electronics America
    MOSFET 2N-CH 30V 11A 8-SOP
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    2W
    鸥翼
    260
    20
    8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    15 ns
    3W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    16m Ω @ 5.5A, 10V
    2.5V @ 1mA
    1400pF @ 10V
    22nC @ 10V
    17ns
    30V
    9 ns
    11A
    20V
    0.025Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF9328PBF
    Infineon Technologies
    -30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    19 ns
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    11.9m Ω @ 12A, 10V
    2.4V @ 25μA
    1680pF @ 25V
    52nC @ 10V
    57ns
    30V
    66 ns
    -12A
    20V
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    HEXFET®
    DUAL
    Single
    2.5W
    ±20V
    -1.8V
    -30V
    96A
    76 ns
    -1.8 V
    1.4986mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
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