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首页 全部分类 HAT2279H-EL-E vs FDMC86320

HAT2279H-EL-E备选型号: FDMC86320

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
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  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • Renesas Electronics America
    HAT2279H-EL-E
    Renesas Electronics America
    MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    5
    SILICON
    30A Ta
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    yes
    不用于新设计
    3 (168 Hours)
    4
    EAR99
    SINGLE
    鸥翼
    260
    R-PSFM-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    25W
    9.5 ns
    N-Channel
    12m Ω @ 15A, 10V
    3520pF @ 10V
    60nC @ 10V
    14.5ns
    80V
    ±20V
    9.5 ns
    30A
    20V
    80V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMC86320
    ON Semiconductor
    N-Channel Power Trench® MOSFET 80V, 22A, 11.7mO
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerWDFN
    8
    SILICON
    10.7A Ta 22A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    -
    -
    S-PDSO-N5
    -
    增强型MOSFET
    40W
    15 ns
    N-Channel
    11.7m Ω @ 10.7A, 10V
    2640pF @ 40V
    41nC @ 10V
    8ns
    -
    ±20V
    5 ns
    22A
    20V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    165.33333mg
    4.5V @ 250μA
    PowerTrench®
    e4
    Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
    Single
    DRAIN
    SWITCHING
    80V
    50A
    60 mJ
    750μm
    3.3mm
    3.3mm
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