HAT2279H-EL-E备选型号: IRFR3518TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- DS 击穿电压-最小值
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 系列
- JESD-609代码
- 终端
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 80V 30A 5LFPAK16 Weeks表面贴装表面贴装SC-100, SOT-6695SILICON30A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2006yes不用于新设计3 (168 Hours)4EAR99SINGLE鸥翼260R-PSFM-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET25W9.5 nsN-Channel12m Ω @ 15A, 10V3520pF @ 10V60nC @ 10V14.5ns80V±20V9.5 ns30A20V80V无ROHS3 Compliant无铅---------------------
- MOSFET N-CH 80V 38A DPAK14 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON10V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2004-不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99-鸥翼260R-PSSO-G2-增强型MOSFET110W12 nsN-Channel29m Ω @ 18A, 10V1710pF @ 25V56nC @ 10V25ns-±20V13 ns30A20V-无ROHS3 Compliant无铅4V @ 250μAHEXFET®e3SMD/SMT29MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier80V38A30SingleDRAINSWITCHING4VTO-252AA80V80V4 V2.26mm6.7056mm6.22mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFR3518TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 80V 38A DPAK | 对比 |




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