Renesas Electronics America HAT2279H-EL-E

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-100, SOT-669

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

25W Tc

Turn Off Delay Time

56 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

JESD-30代码

R-PSFM-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

25W

接通延迟时间

9.5 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

12m Ω @ 15A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3520pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60nC @ 10V

上升时间

14.5ns

漏源电压 (Vdss)

80V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

9.5 ns

连续放电电流(ID)

30A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

DS 击穿电压-最小值

80V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅