HCT7000M备选型号: VEC2616-TL-W
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 无铅代码
- 最大功率耗散
- Reach合规守则
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 阈值电压
- 场效应管特性
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N-CH 60V 200MA SMD15 Weeks表面贴装表面贴装3-SMD, No Lead33-SMD200mA Ta-55°C~150°C TJBulk1997活跃1 (Unlimited)150°C-55°CSingle300mW10 nsN-Channel5Ohm @ 500mA, 10V3V @ 1mA60pF @ 25V60V±40V200mA40V60pF5Ohm5 Ω1.3716mm3.175mm2.667mmNon-RoHS Compliant---------
- MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC88 Weeks表面贴装表面贴装8-SMD, Flat Lead8-3A 2.5A150°C TJTape & Reel (TR)2015活跃1 (Unlimited)-----N and P-Channel80m Ω @ 1.5A, 10V2.6V @ 1mA505pF @ 20V60V-2.5A-------ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 day ago)yes1Wnot_compliant10nC @ 10V2.6VLogic Level Gate, 4V Drive无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SM6K2T110 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SC-74, SOT-457 | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A SOT-457 | 对比 | |
| SSM3K7002CFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-70, SOT-323 | MOSFET N-CH 60V 0.17A SMD | 对比 | |
| VEC2616-TL-W | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | 8-SMD, Flat Lead | MOSFET N/P-CH 60V 3A/2.5A VEC8 | 对比 |



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