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首页 全部分类 HCT802TXV vs VT6M1T2CR

HCT802TXV备选型号: VT6M1T2CR

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 输入电容
  • 场效应管特性
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 无铅
  • TT Electronics/Optek Technology
    HCT802TXV
    TT Electronics/Optek Technology
    MOSFET N/P-CH 90V 2A/1.1A SMD
    25 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, No Lead
    6
    6-SMD
    2A 1.1A
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    1997
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    500mW
    Dual
    500mW
    N and P-Channel
    5Ohm @ 1A, 10V
    2.5V @ 1mA
    70pF @ 25V
    90V
    1.1A
    20V
    70pF
    Standard
    5Ohm
    5 Ω
    2.03mm
    6.35mm
    4.45mm
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    VT6M1T2CR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-SMD, Flat Leads
    -
    -
    2
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    1997
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    120mW
    -
    120mW
    N and P-Channel
    3.5 Ω @ 100mA, 4.5V
    1V @ 100μA
    7.1pF @ 10V
    20V
    100mA
    -
    -
    Logic Level Gate, 1.2V Drive
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    e1
    6
    EAR99
    锡银铜
    DUAL
    260
    10
    6
    R-PDSO-F6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    0.1A
    4.2Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    无铅
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