ROHM Semiconductor VT6M1T2CR

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SMD, Flat Leads

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

1997

JESD-609代码

e1

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最大功率耗散

120mW

端子位置

DUAL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

10

引脚数量

6

JESD-30代码

R-PDSO-F6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

120mW

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.5 Ω @ 100mA, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7.1pF @ 10V

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

100mA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.1A

漏极-源极导通最大电阻

4.2Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Logic Level Gate, 1.2V Drive

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅