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首页 全部分类 HGT1N30N60A4D vs APT60GA60JD60

HGT1N30N60A4D备选型号: APT60GA60JD60

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  • IGBT类型
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    HGT1N30N60A4D
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    600V
    2.7V
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    600V
    255W
    96A
    Single
    225W
    Standard
    600V
    96A
    250μA
    2.7V @ 15V, 30A
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT60GA60JD60
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 600V 112A 356W ISOTOP
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    600V
    2V
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    356W
    -
    Single
    -
    Standard
    600V
    112A
    275μA
    2.5V @ 15V, 62A
    无
    符合RoHS标准
    -
    32 Weeks
    30.000004g
    SILICON
    POWER MOS 8™
    1999
    yes
    4
    LOW CONDUCTION LOSS, UL RECOGNIZED
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    ISOLATED
    356W
    电源控制
    N-CHANNEL
    8.01nF
    82 ns
    333 ns
    PT
    8.01nF @ 25V
    9.6mm
    38.2mm
    25.4mm
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