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首页 全部分类 HGT1N30N60A4D vs APT75GN120JDQ3

HGT1N30N60A4D备选型号: APT75GN120JDQ3

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  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
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  • 接通时间
  • 连续集电极电流
  • 关断时间-标准值（toff)
  • IGBT类型
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    HGT1N30N60A4D
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 96A 4-Pin SOT-227 Rail
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    SOT-227-4, miniBLOC
    4
    600V
    2.7V
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    600V
    255W
    96A
    Single
    225W
    Standard
    600V
    96A
    250μA
    2.7V @ 15V, 30A
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT75GN120JDQ3
    Microsemi Corporation
    IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP
    Chassis Mount, Screw
    底座安装
    ISOTOP
    4
    1.2kV
    1.7V
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    379W
    -
    Single
    -
    Standard
    1.2kV
    124A
    200μA
    2.1V @ 15V, 75A
    无
    符合RoHS标准
    -
    29 Weeks
    30.000004g
    SILICON
    1999
    yes
    4
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    UPPER
    UNSPECIFIED
    4
    ISOLATED
    电源控制
    N-CHANNEL
    1200V
    4.8nF
    101 ns
    124A
    925 ns
    沟渠现场停车
    30V
    4.8nF @ 25V
    9.6mm
    38.2mm
    25.4mm
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