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HGT1S12N60A4DS备选型号: FGB30N6S2
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- 安装类型
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- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 功率 - 最大
- 上升时间
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
Trans IGBT Chip N-CH 600V 54A 3-Pin(2 Tab) TO-263AB RailACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON600V2.7V-55°C~150°C TJTubee3yes不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)低导通损耗8541.29.00.95167W鸥翼26030HGT1S12N60R-PSSO-G2Single167WCOLLECTORStandard17 μs电源控制N-CHANNEL600V54A30ns33 ns2.7V @ 15V, 12A180 ns78nC96A17ns/96ns55μJ (on), 50μJ (off)无ROHS3 Compliant无铅--------- IGBT 600V 45A 167W TO263AB-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3--600V2V-55°C~150°C TJTube--Obsolete1 (Unlimited)-----167W---FGB30N6-Single167W-Standard---600V45A--2.5V @ 15V, 12A-23nC108A6ns/40ns55μJ (on), 100μJ (off)-符合RoHS标准无铅TO-263AB150°C-55°C600V45A167W10ns600V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FGB30N6S2T | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 45A 167W TO263AB | 对比 |
| FGB20N60SFD-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 40A 208W D2PAK | 对比 |
| FGB30N6S2 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | IGBT 600V 45A 167W TO263AB | 对比 |
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