ON Semiconductor HGT1S12N60A4DS

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

质量

1.31247g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2.7V

Number of Elements

1

Test Conditions

390V, 12A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

96 μs

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

低导通损耗

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

167W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

HGT1S12N60

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

功率耗散

167W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

17 μs

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

54A

反向恢复时间

30ns

接通时间

33 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.7V @ 15V, 12A

关断时间-标准值（toff)

180 ns

闸门收费

78nC

集极脉冲电流（Icm）

96A

Td（开/关）@25°C

17ns/96ns

开关能量

55μJ (on), 50μJ (off)

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅