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HGT1S20N36G3VL备选型号: HGT1S2N120CN

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底架
安装类型
包装/外壳
引脚数
Collector-Emitter Saturation Voltage
操作温度
包装
零件状态
湿度敏感性等级(MSL)
电压 - 额定直流
最大功率耗散
额定电流
元素配置
功率耗散
输入类型
集电极发射器电压(VCEO)
最大集电极电流
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
闸门收费
Td（开/关）@25°C
RoHS状态
无铅
电压 - 集射极击穿（最大值）
IGBT类型
集极脉冲电流（Icm）
开关能量

HGT1S20N36G3VL

ON Semiconductor

IGBT 395V 37.7A 150W TO262AA

通孔
通孔
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
3
395V
1.3V
-40°C~175°C TJ
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
360V
150W
20A
Single
150W
Logic
1.9V
37.7A
1.9V @ 5V, 20A
28.7nC
-/15μs
符合RoHS标准
无铅
-
-
-
-
HGT1S2N120CN

ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 13A 3-Pin(3 Tab) TO-262 Rail

通孔
通孔
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
-
1.2kV
2.05V
-55°C~150°C TJ
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
1.2kV
104W
13A
Single
104W
Standard
1.2kV
13A
2.4V @ 15V, 2.6A
30nC
25ns/205ns
符合RoHS标准
无铅
1200V
NPT
20A
96μJ (on), 355μJ (off)
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