ON Semiconductor HGT1S20N36G3VL

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

395V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.3V

Test Conditions

300V, 10A, 25 Ω, 5V

操作温度

-40°C~175°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

360V

最大功率耗散

150W

额定电流

20A

元素配置

Single

功率耗散

150W

输入类型

Logic

集电极发射器电压(VCEO)

1.9V

最大集电极电流

37.7A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 5V, 20A

闸门收费

28.7nC

Td（开/关）@25°C

-/15μs

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅