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500

￥15.337928
1000

￥14.469741

ON Semiconductor HGT1S2N120CN

Name: HGT1S2N120CN
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-HGT1S2N120CN
Price: 18.27 USD
Availability: InStock
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对比

型号

HGT1S2N120CN

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-HGT1S2N120CN

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 13A 3-Pin(3 Tab) TO-262 Rail

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HGT1S2N120CN ON Semiconductor Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 13A 3-Pin(3 Tab) TO-262 Rail

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ON Semiconductor HGT1S2N120CN重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

通孔
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV
Collector-Emitter Saturation Voltage

2.05V
Test Conditions

960V, 2.6A, 51 Ω, 15V
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tube
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
电压 - 额定直流

1.2kV
最大功率耗散

104W
额定电流

13A
元素配置

Single
功率耗散

104W
输入类型

Standard
集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV
最大集电极电流

13A
电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 2.6A
IGBT类型

NPT
闸门收费

30nC
集极脉冲电流（Icm）

20A
Td（开/关）@25°C

25ns/205ns
开关能量

96μJ (on), 355μJ (off)
RoHS状态

符合RoHS标准
无铅

无铅

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