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首页 全部分类 HGTG11N120CND vs FGH40T100SMD

HGTG11N120CND备选型号: FGH40T100SMD

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  • 辐射硬化
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  • 箱体转运
  • 极性/通道类型
  • JEDEC-95代码
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    HGTG11N120CND
    ON Semiconductor
    IGBT 1200V 43A 298W TO247
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    1.2kV
    2.1V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2016
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    1.2kV
    298W
    43A
    NPN
    Single
    298W
    Standard
    23 ns
    MOTOR CONTROL
    1.2kV
    43A
    70 ns
    1200V
    33 ns
    2.4V @ 15V, 11A
    570 ns
    NPT
    100nC
    80A
    23ns/180ns
    950μJ (on), 1.3mJ (off)
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH40T100SMD
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 1000V 40A Field Stop Trench IGBT
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    1kV
    2.3V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    8541.29.00.95
    -
    333W
    -
    -
    Single
    333W
    Standard
    -
    电源控制
    1kV
    80A
    78 ns
    1000V
    76 ns
    2.3V @ 15V, 40A
    305 ns
    沟渠现场停车
    265nC
    120A
    29ns/285ns
    2.35mJ (on), 1.15mJ (off)
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    64ns
    COLLECTOR
    N-CHANNEL
    TO-247AB
    20V
    6.5V
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
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