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首页 全部分类 HGTG20N60B3 vs STGW20H60DF

HGTG20N60B3备选型号: STGW20H60DF

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  • 接通时间
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  • 开关能量
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 反向恢复时间
  • IGBT类型
  • Td（开/关）@25°C
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    HGTG20N60B3
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 40A 165W TO247
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    44 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    600V
    1.8V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    600V
    165W
    40A
    HGTG20N60
    NPN
    Single
    165W
    COLLECTOR
    Standard
    25 ns
    电源控制
    600V
    40A
    45 ns
    2V @ 15V, 20A
    360 ns
    80nC
    160A
    475μJ (on), 1.05mJ (off)
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW20H60DF
    STMicroelectronics
    IGBT Transistors 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    -
    600V
    2V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    167W
    -
    STGW20
    -
    Single
    167W
    -
    Standard
    -
    -
    600V
    40A
    -
    2V @ 15V, 20A
    -
    115nC
    80A
    209μJ (on), 261μJ (off)
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    90ns
    沟渠现场停车
    42.5ns/177ns
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
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