ON Semiconductor HGTG20N60B3

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

44 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.8V

Number of Elements

1

Test Conditions

480V, 20A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

220 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2004

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

低导通损耗

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

165W

额定电流

40A

基本部件号

HGTG20N60

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

165W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

25 ns

晶体管应用

电源控制

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

40A

接通时间

45 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2V @ 15V, 20A

关断时间-标准值（toff)

360 ns

闸门收费

80nC

集极脉冲电流（Icm）

160A

开关能量

475μJ (on), 1.05mJ (off)

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅