HGTG30N60C3D备选型号: IKW40N65F5FKSA1
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 基本部件号
- 极性
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 最大结点温度(Tj)
- 连续集电极电流
- Td(开/关)@25°C
- IGBT,N CH,600V,63A,TO-247ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)7 Weeks通孔通孔TO-247-336.39gSILICON600V1.5V-40°C~150°C TJTube2011e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)低导通损耗8541.29.00.95600V208W30AHGTG30N60NPNSingle208WStandard40 nsMOTOR CONTROL45ns600V63A60ns85 ns1.8V @ 15V, 30A550 ns162nC252A1.05mJ (on), 2.5mJ (off)20.82mm15.87mm4.82mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------
- IGBT Transistors IGBT PRODUCTS-26 Weeks通孔通孔TO-247-33--650V1.6V-40°C~175°C TJTube2008e3yes活跃1 (Unlimited)-EAR99Tin (Sn)---255W---Single255WStandard19 ns--650V74A60 ns-2.1V @ 15V, 40A-95nC120A360μJ (on), 100μJ (off)25.5mm--Unknown-ROHS3 Compliant无铅TrenchStop®未说明未说明175°C74A19ns/160ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGW35NB60SD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
![]() | STGW39NC60VD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW39NC60VD IGBT Single Transistor, 80 A, 2.5 V, 250 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
![]() | IKW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | 对比 |





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