ON Semiconductor HGTG30N60C3D

生命周期状态

ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

7 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5V

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

320 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2011

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

低导通损耗

HTS代码

8541.29.00.95

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

208W

额定电流

30A

基本部件号

HGTG30N60

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

208W

输入类型

Standard

接通延迟时间

40 ns

晶体管应用

MOTOR CONTROL

上升时间

45ns

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

63A

反向恢复时间

60ns

接通时间

85 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.8V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

550 ns

闸门收费

162nC

集极脉冲电流（Icm）

252A

开关能量

1.05mJ (on), 2.5mJ (off)

高度

20.82mm

长度

15.87mm

宽度

4.82mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅