HGTG40N60A4备选型号: FGH50N6S2
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 上升时间
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 连续集电极电流
- 关断时间-标准值(toff)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 达到SVHC
- IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS SeriesACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)44 Weeks通孔通孔TO-247-336.39gSILICON600V1.7V-55°C~150°C TJTube2015e3yes不用于新设计1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)低导通损耗8541.29.00.95600V625W40ASingle625WCOLLECTORStandard25 ns电源控制18nsN-CHANNEL600V75A47 ns2.7V @ 15V, 40A75A240 ns350nC300A25ns/145ns400μJ (on), 370μJ (off)20.82mm15.87mm4.82mm无ROHS3 Compliant无铅-----
- IGBT 600V 75A 463W TO247--通孔通孔TO-247-33-SILICON600V1.9V-55°C~150°C TJTube2003e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)-8541.29.00.95600V463W75ASingle463W-Standard13 ns电源控制15nsN-CHANNEL2.7V75A28 ns2.7V @ 15V, 30A-180 ns70nC240A13ns/55ns260μJ (on), 250μJ (off)----符合RoHS标准无铅通孔未说明未说明不合格无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | HGTG30N60A4 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 75A 463W TO247 | 对比 |
![]() | STGW35NB60SD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
| FGH50N6S2 | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 600V 75A 463W TO247 | 对比 |




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