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首页 全部分类 HGTG40N60A4 vs STGW35NB60SD

HGTG40N60A4备选型号: STGW35NB60SD

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  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
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  • 基本部件号
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  • 反向恢复时间
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 最大击穿电压
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    HGTG40N60A4
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 600V N-Channel IGBT SMPS Series
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    44 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    600V
    1.7V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2015
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    600V
    625W
    40A
    Single
    625W
    COLLECTOR
    Standard
    25 ns
    电源控制
    18ns
    N-CHANNEL
    600V
    75A
    47 ns
    2.7V @ 15V, 40A
    75A
    240 ns
    350nC
    300A
    25ns/145ns
    400μJ (on), 370μJ (off)
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW35NB60SD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    8 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    SILICON
    600V
    1.7V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    600V
    200W
    35A
    Single
    200W
    -
    Standard
    -
    MOTOR CONTROL
    70ns
    N-CHANNEL
    600V
    70A
    153 ns
    1.7V @ 15V, 20A
    -
    3600 ns
    83nC
    250A
    92ns/1.1μs
    840μJ (on), 7.4mJ (off)
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    PowerMESH™
    STGW35
    3
    600V
    44 ns
    70A
    TO-247AA
    600V
    20V
    5V
    无SVHC
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