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首页 全部分类 HGTG7N60A4D vs FGH20N6S2D

HGTG7N60A4D备选型号: FGH20N6S2D

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  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 供应商器件包装
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  • 最小工作温度
  • 功率 - 最大
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • ON Semiconductor
    HGTG7N60A4D
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 34A 125W TO247
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    44 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    SILICON
    600V
    1.9V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    600V
    125W
    34A
    Single
    125W
    COLLECTOR
    Standard
    电源控制
    11ns
    N-CHANNEL
    600V
    34A
    22 ns
    17 ns
    2.7V @ 15V, 7A
    205 ns
    37nC
    56A
    11ns/100ns
    55μJ (on), 60μJ (off)
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH20N6S2D
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 28A 125W TO247
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    -
    600V
    2.2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    600V
    125W
    28A
    Single
    125W
    -
    Standard
    -
    4.5ns
    -
    600V
    28A
    31 ns
    -
    2.7V @ 15V, 7A
    -
    30nC
    40A
    7.7ns/87ns
    25μJ (on), 58μJ (off)
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    TO-247-3
    150°C
    -55°C
    125W
    600V
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