FGH20N6S2
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ON Semiconductor FGH20N6S2

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型号

FGH20N6S2

utmel 编号

1807-FGH20N6S2

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT 600V 28A 125W TO247

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FGH20N6S2
FGH20N6S2 ON Semiconductor IGBT 600V 28A 125W TO247

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FGH20N6S2详情

ON Semiconductor FGH20N6S2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    2.2V

  • Test Conditions

    390V, 7A, 25 Ω, 15V

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2003

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 电压 - 额定直流

    600V

  • 最大功率耗散

    125W

  • 额定电流

    28A

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    125W

  • 输入类型

    Standard

  • 上升时间

    4.5ns

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    600V

  • 最大集电极电流

    28A

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.7V @ 15V, 7A

  • 闸门收费

    30nC

  • 集极脉冲电流(Icm)

    40A

  • Td(开/关)@25°C

    7.7ns/87ns

  • 开关能量

    25μJ (on), 58μJ (off)

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & FGH20N6S2相似的参数规格。

  • 图片
    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Collector Emitter Breakdown Voltage
    Max Collector Current
    Max Power Dissipation
    Power Dissipation
    Collector Emitter Saturation Voltage
    Moisture Sensitivity Level (MSL)
    查看对比:
  • FGH20N6S2

    FGH20N6S2

    Through Hole

    TO-247-3

    600 V

    28 A

    125 W

    125 W

    2.2 V

    1 (Unlimited)

  • FGH30N6S2

    Through Hole

    TO-247-3

    600 V

    45 A

    167 W

    167 W

    2 V

    1 (Unlimited)

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FGH20N6S2拓展信息

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