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首页 全部分类 HGTP20N60A4 vs FGP5N60LS

HGTP20N60A4备选型号: FGP5N60LS

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  • 无铅
  • 已出版
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  • JEDEC-95代码
  • IGBT类型
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • ON Semiconductor
    HGTP20N60A4
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 70A 290W TO220AB
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    44 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    600V
    290W
    70A
    Single
    290W
    COLLECTOR
    Standard
    15 ns
    电源控制
    12ns
    N-CHANNEL
    600V
    70A
    28 ns
    2.7V @ 15V, 20A
    70A
    160 ns
    142nC
    280A
    15ns/73ns
    105μJ (on), 150μJ (off)
    9.4mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGP5N60LS
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 10A 83W TO220
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    4 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    SILICON
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    低导通损耗
    8541.29.00.95
    -
    83W
    -
    Single
    -
    -
    Standard
    -
    通用开关
    -
    N-CHANNEL
    600V
    10A
    5.9 ns
    3.2V @ 12V, 14A
    -
    187 ns
    18.3nC
    36A
    4.3ns/36ns
    38μJ (on), 130μJ (off)
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    2013
    Tin (Sn)
    83W
    TO-220AB
    场站
    20V
    4.5V
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