ON Semiconductor FGP5N60LS

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.8V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 5A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

低导通损耗

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

83W

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

83W

晶体管应用

通用开关

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

10A

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

5.9 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.2V @ 12V, 14A

关断时间-标准值（toff)

187 ns

IGBT类型

场站

闸门收费

18.3nC

集极脉冲电流（Icm）

36A

Td（开/关）@25°C

4.3ns/36ns

开关能量

38μJ (on), 130μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

4.5V

高度

16.51mm

长度

10.67mm

宽度

4.83mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant