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首页 全部分类 HGTP7N60B3D vs STGF19NC60HD

HGTP7N60B3D备选型号: STGF19NC60HD

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  • 关断时间-标准值（toff)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    HGTP7N60B3D
    ON Semiconductor
    IGBT 600V 14A 60W TO220AB
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    600V
    60W
    14A
    HGTP7N60
    Single
    60W
    Standard
    600V
    14A
    37ns
    2.1V @ 15V, 7A
    23nC
    56A
    26ns/130ns
    160μJ (on), 120μJ (off)
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGF19NC60HD
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STGF19NC60HD IGBT Single Transistor, 16 A, 2.5 V, 35 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    -
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    600V
    32W
    9A
    STGF19
    Single
    35W
    Standard
    600V
    16A
    31 ns
    2.5V @ 15V, 12A
    53nC
    60A
    25ns/97ns
    85μJ (on), 189μJ (off)
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    8 Weeks
    SILICON
    PowerMESH™
    e3
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    3
    ISOLATED
    25 ns
    电源控制
    7ns
    600V
    N-CHANNEL
    16A
    TO-220AB
    32 ns
    272 ns
    20V
    5.75V
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
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