ON Semiconductor HGTP7N60B3D

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

质量

1.8g

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.8V

Test Conditions

480V, 7A, 50 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

60W

额定电流

14A

基本部件号

HGTP7N60

元素配置

Single

功率耗散

60W

输入类型

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

14A

反向恢复时间

37ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.1V @ 15V, 7A

闸门收费

23nC

集极脉冲电流（Icm）

56A

Td（开/关）@25°C

26ns/130ns

开关能量

160μJ (on), 120μJ (off)

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅