HMC1055LP2CE备选型号: HMC536LP2E
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 电压 - 供电
- 结构
- 频率
- 基本部件号
- 引脚数量
- 电路
- 阻抗
- 拓扑
- 频率范围
- 射频/微波器件类型
- 插入损耗
- 隔离
- 插入损耗(dB)
- 射频类型
- 输入功率-最大(CW)
- IIP3
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 底架
- 终止次数
- HTS代码
- 功能数量
- 电源
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 待机时间
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RF Switch SPST 0MHz to 4000MHz 28dB 6-Pin LFCSP T/RPRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)8 Weeks8-VFDFN Exposed Pad837.393021mg-40°C~85°CStripe3no活跃3 (168 Hours)EAR99Matte Tin (Sn)cmos 兼容88mW1.2V~5VCOMPONENT4GHzHMC10558SPST50OhmReflectiveDC~4GHz分集开关1.8dB28dB1.8 dBWiMax, WLAN34dBm63dBmROHS3 Compliant含铅-------------
- IC SWITCH MMIC AMP SPDT 3W 6-DFNPRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)8 Weeks6-TDFN Exposed Pad621.092045mg-40°C~85°CStripe3no活跃1 (Unlimited)EAR99--860mW-COMPONENT6GHzHMC5366单刀双掷50OhmReflectiveDC~6GHz分集开关1dB29dB1 dBWiMAX / WiBro29.03dBm49dBmROHS3 Compliant含铅Tin表面贴装68542.39.00.0115V5V3V0.07 μs950μm2.5mm2.5mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SST12LP17E-QU8E | Microchip Technology | 射频放大器 | 8-UDFN | IC, RF IC, 15 dB, 2.4GHz to 2.5GHz, SON-8 | 对比 |
![]() | MML09211HT1 | NXP USA Inc. | 射频放大器 | 8-VFDFN Exposed Pad | RF Amplifier 21dBm GaAs Amp | 对比 |
![]() | HMC536LP2E | Analog Devices Inc. | 射频开关 | 6-TDFN Exposed Pad | IC SWITCH MMIC AMP SPDT 3W 6-DFN | 对比 |






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