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HMC667LP2E备选型号: BGM1034N7E6327XUSA1

HMC667LP2E

Analog Devices Inc.

IC RF AMP GP 2.3GHZ-2.7GHZ 6DFN

LAST TIME BUY (Last Updated: 2 days ago)
Tin
表面贴装
表面贴装
6-VFDFN Exposed Pad
6
21.092045mg
Strip
e3
no
Obsolete
1 (Unlimited)
6
EAR99
85°C
-40°C
380mW
3V~5V
1
COMPONENT
2.3GHz~2.7GHz
HMC667
6
3/5V
1
59mA
19dB
窄带低功耗
通用型
50Ohm
0.9dB
16.5dB
ROHS3 Compliant
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BGM1034N7E6327XUSA1

Infineon Technologies

IC AMP MMIC RF 17.0DB TSNP-7

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6-WDFN Exposed Pad
7
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Tape & Reel (TR)
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Obsolete
3 (168 Hours)
7
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1
-
1575MHz~1609MHz
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17 dB
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Galileo, GLONASS, GPS
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符合RoHS标准
4 Weeks
YES
85°C
2011
8542.39.00.01
DUAL
无铅
未说明
1.8V
0.54mm
未说明
INDUSTRIAL
电信电路
2.3mm
无SVHC
无铅
添加型号

RF/IF，射频/中频和 RFID相关产品

图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	BGM1034N7E6327XUSA1	Infineon Technologies	category.RF Front End (LNA PA)	6-WDFN Exposed Pad	IC AMP MMIC RF 17.0DB TSNP-7	对比
	HMC536LP2E	Analog Devices Inc.	射频开关	6-TDFN Exposed Pad	IC SWITCH MMIC AMP SPDT 3W 6-DFN	对比