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首页 全部分类 HP8KA1TB vs BSZ050N03LSGATMA1

HP8KA1TB备选型号: BSZ050N03LSGATMA1

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  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 触点镀层
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  • 端子位置
  • 引脚数量
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  • 资历状况
  • 功率耗散
  • 无卤素
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    HP8KA1TB
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    3W
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    3W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    5m Ω @ 14A, 10V
    2.5V @ 10mA
    2550pF @ 15V
    24nC @ 4.5V
    30V
    14A
    0.007Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSZ050N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    16A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    无铅
    未说明
    -
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    5m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 250μA
    2800pF @ 15V
    35nC @ 10V
    -
    16A
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    OptiMOS™
    no
    AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
    DUAL
    8
    R-PDSO-N5
    不合格
    50W
    无卤素
    4ns
    ±20V
    20V
    30V
    40A
    70 mJ
    含铅
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