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HT6256DC备选型号: 6116LA90TDB
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- 无铅
IC SRAM 256K PARALLEL 28CDIP8 Weeks通孔28-CDIP (0.600, 15.24mm)28-CDIPVolatile-55°C~225°C TABulkHTMOS™2012活跃1 (Unlimited)225°C-55°C4.5V~5.5V20MHzParallel256Kb 32K x 820MHz50nsSRAMParallel50nsNon-RoHS Compliant-----------------------------------
SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM--CDIP-RAM, SDR, SRAM - Asynchronous---2013活跃1 (Unlimited)125°C-55°C5V-Parallel2kB-90 ns---Non-RoHS Compliant通孔2485mAe0no24Tin/Lead (Sn/Pb)DUAL24012.54mmnot_compliant未说明85mA不合格5VMILITARY12KX83-STATE11b16 kb0.0003AMIL-STD-883 Class BCOMMONAsynchronous8b2V5.5V4.5V32.51mm5.08mm7.62mm3.56mm含铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | 6116SA90TDB | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | CDIP | SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM | 对比 |
| 6116LA90TDB | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | CDIP | SRAM 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM | 对比 |
 | 71256S35TDB | Integrated Device Technology (IDT) | 存储器 | CDIP | SRAM Chip Async Single 5V 256K-Bit 32K x 8 35ns 28-Pin CDIP | 对比 |
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